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ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 42838—2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 Semiconductor integrated circuits- Measuring method of Holzer circuit 2023-12-01实施 2023-08-06发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42838—2023 前言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、南京中旭电子科技有限公司、合肥美菱物联科技有 限公司、北京微电子技术研究所、东莞市国梦电机有限公司。 本文件主要起草人:尹航、刘芳、何海、唐食明、张帆、刘德广。 1 GB/T42838—2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 1范围 本文件规定了半导体集成电路霍尔电路(以下称为器件)电特性测试方法。 本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。 2规范性引用文件 2 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 工作点磁感应强度 magneticoperatepoint Bop 在工作点上垂直穿过单位面积的磁力线的数量。 3.2 释放点磁感应强度 magnetic release point BRP 在释放点上垂直穿过单位面积的磁力线的数量。 3.3 回差 return difference BH 在仪表全部测量范围内,被测量值上行和下行所得到的两条特性曲线之间的最大偏差。 3.4 输出上升时间 output rise time tr 电路输出由低电平变为高电平所需的时间。 3.5 输出下降时间 output fall time tr 电路输出由高电平变为低电平所需的时间。 1 GB/T428382023 4一般要求 4.1 测试环境要求 除另有规定外,电测试环境温度要求:25±℃;环境气压86kPa~106kPa。如果环境湿度对试验有 影响,应在相关文件中规定 4.2 2测试注意事项 测试期间,应遵循以下注意事项: a) 若无特殊说明,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合相关文件的规定; b) 避免外界干扰对测试准确度的影响; c) 测试设备在计量有效期内,测试设备引起的测试准确度偏差符合相关文件的规定; (P 施于被测器件的电源电压与规定值偏差应在土1%以内,施于被测器件的其他电参量的准确度 符合相关文件的规定; e) 确保被测器件与测试外围电路连接良好; 被测器件与测试系统连接或断开时,承受的电应力不超过相关文件中规定的最大非破坏应力 条件; g)i 避免因静电放电而引起器件损伤; h)非被测输入端和输出端是否悬空应符合相关文件的规定。 4.3 3相关文件 本文件中的相关文件指与被测器件相关的产品详细规范、产品手册等技术文件。 5 功能测试 5.1目的 根据规定的要求设置程序。按器件的功能原理生成测试向量或真值表,通过测试系统或信号发生 器输人到被测电路,同时通过测试系统或相关仪表对输出信号测试,检测被测器件是否达到相关文件规 定的真值表要求。 5.2 2测试原理图 测试原理图如图1所示。 2 GB/T42838—2023 Vic 被测器件 输 输 入 出 端 标引符号说明: Vec 电源电压。 图1功能测试原理图 5.3 3测试条件 测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定: a) 环境或参考点温度; b)电源电压; 输人端条件; d) 输出端电压。 5.4 测试程序 测试程序如下: a) 将被测器件接人测试系统中; b) 电源端施加规定的电压; 非被测输人端施加规定的条件; d) 被测输人端设置输人激励信号,检测相应的输出端信号是否符合相关文件规定的预期结果; e) 按c)~d)的规定,分别测试每个输人端。 6 静态参数测试 6.1 工作点磁感应强度Bep 6.1.1 目的 测试使电路导通的磁场大小。 6.1.2 测试原理图 测试原理框图见图2所示。 3 GB/T42838—2023 O Vec 场 被 调 测 Lu 器 件 标引符号说明: Vcc 电源电压; VouT 输出端电压。 图2测试电路图 6.1.3测试条件 测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定: a) 环境或参考点温度; b) 电源电压; c) 输人端条件; d) 输出端电压; e) 负载电阻。 6.1.4 测试程序 测试期间,应按以下程序进行测试: 将被测器件接人测试系统中; a) b) 电源端施加规定的电压值; c) 调节磁场调节器; d) 非被测输入端施加规定的条件; e) 当电压表从高电位变为低电位的瞬间,从磁强计读出BoP。 6.2 释放点磁感应强度BRP 6.2.1 目的 测试使电路关断的磁场大小。 6.2.2 测试原理图 测试原理框图见图2所示。 4 GB/T42838—2023 6.2.3测试条件 测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定: a) 环境或参考点温度; b) 电源电压; 输入端条件; c) d) 输出端电压; e) 负载电阻。 6.2.4 测试程序 测试期间,应按以下程序进行测试: a) 将被测器件接人测试系统中; b) 电源端施加规定的电压值; c) 调节磁场调节器; d) 非被测输人端施加规定的条件; e) 当电压表从低电位变为高电位的瞬间,从磁强计读出BRP。 6.3 回差BH 6.3.1目的 测量磁场上行和下行所得到的两条特性曲线之间的最大偏差。 6.3.2 测试原理图 测试原理框图见图2所示。 6.3.3测试程序 测试期间,应按以下程序进行测试: 按6.1、6.2的规定,分别测量得到工作点磁感应强度Bop和释放点磁感应强度BRP; a b) 由工作点磁感应强度BoP减去释放点磁感应强度BRp得到回差。 6.3.4测试条件 测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范规定: 环境或参考点温度; a b) 电源电压; c) 输人端条件; d) 输出端电压; 负载电阻。 6.4 输入高电平电流Im(需要时) 按GB/T17574—1998第IV篇测试方法中第2节的第2章。 6.5 输入低电平电流I(需要时) 5
GB-T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法
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