中华人民共和国国家标准 GB/953088 电子陶瓷名词术语 Terms for electronic ceramics 本标准规定了电子陶瓷名词术语的定义。包括基础理论、瓷料种类、性能与测试、设备和工艺及其 它，共五部分。 1基础理论 1.1电子陶瓷electronic ceramics 在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶瓷材料，一般可分为结构陶瓷和功能陶瓷。 1.2电子结构陶瓷electronicstructuralceramics 用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、外壳、固定件和绝缘零件等的陶瓷材料，又称装置 瓷。它大致可分为电真空瓷、电阻基体瓷和绝缘零件瓷等。 1.3功能陶瓷functionalceramics 用于制造电容器、电阻器、电感器、换能器、滤波器、振荡器、传感器等并在电路中起一种或多种作 用的陶瓷材料。它又可分为电容器瓷、铁电瓷、压电瓷、半导体瓷、导电陶瓷以及磁性瓷等。 1.4 多相系统polyphasesystem 在热力学中把所研究对象的物质总体称为系统。系统中具有相同的物理、化学性质的部分称为相。 当系统达到热力学平衡时，按相的数目可分为单相系统和多相系统。前者又称均匀系统，后者又称 非均匀系统。陶瓷材料一般是由晶相、玻璃相和气相组成的多相系统。 1.5晶相crystalphase 在多相系统中由晶体构成的部分。 1.6晶粒crystalgrain 在显微镜下观察到的有形的晶体的通称。 1.73 玻璃相glassphase 在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成的。 1.8气相 gas phase 在多相系统中.由气体构成的部分。 1.9气孔pore 存在于陶瓷体中的小孔。与大气连通的称开口气孔，封闭的称闭口气孔.包在晶粒内部的称晶内气 孔.处在晶粒之间的称晶间气孔。 1.10显微结构microstructure 在显微镜下观察到的瓷体内各相的种类、形状、大小、数量、分布、取向以及晶界、显微缺陷等，总 称亚显微结构、10^以下的物质结构称微观结构。 1.11晶界crystal boundary.grainboundary 不同取向的品粒之间的界南。 中华人民共和国电子工业部1988-04-26批准 1989-02-01实施 170 050928071682 GB 9530--88 1.12相界phase boundary 在多相系统中相与相之间的界面，如晶相和玻璃相之间，晶相与气相之间，玻璃相与气相之间，以 及晶粒之间等。 1.13晶体缺陷crystaldefect 晶体内部质点排列偏离理想晶格构造规律的部分。可分为(1)点缺陷，如缺位、杂质离子；(2)线缺 陷，如位错；(3)面缺陷，如晶界等。 1.14缺位vacancy 晶体中格点位置上的质点脱离格点位置到晶格间隙或晶体表面而形成的空格点。 1.15织构texture 晶粒择优取向排列的结构。 1.16 滑移 slip 晶体在应力作用下发生塑性形变时，其中一部分相对于另一部分产生的平移滑动。 1.17 位错dislocation 一部分晶面相对于另一部分晶面发生滑移形成的一种线状缺陷。 1.18微裂纹micro-crack 一般指深度为0.1～100μm的裂纹。它是由应力、相变等原因造成的。 1.19晶格热振动latticeoscillation 由于热动能，晶格中的原子（或离子、分子)在其平衡位置上所作的微幅振动，其振幅约为0.1A。 个别能量大的原子也有可能偏离其平衡位置。 1.20热起伏thermalfluctuation 在给定温度下处于热运动平衡状态的系统中，原子（或离子、分子）热运动的动能偏离该温度相应 的动能平均值的现象。 1.21声子phonon 晶格振动中声波的单元量子。 1.22热缺陷thermaldefect 由于热起伏的原因使正常原子（或离子）离开格点位置，产生的空位和填隙原子（或离子）。包括弗 仑克尔缺陷和肖特基缺陷。 1.23 3弗仑克尔缺陷Frenkeldefect 由于热起伏的原因使原子（或离子）脱离正常格点进入间隙位置，形成等浓度的空位和填隙原子。 1.24 肖特基缺陷Schetlkydefect 晶体内部的原子（或离子），由于热起伏的原因，脱离正常格点迁移到晶体表面，在晶体内部留下 的空位所形成的缺陷。 1.25 5活化能activationenergy 在物理化学过程中，始态和终态之间存在着一个势垒，为使过程得以进行，必须供应一定的能量 来克服这个势垒，所需能量称为活化能。 1.26扩散diffusion 由于原子（或离子、分子)的热运动而引起的物质迁移过程。 1.27 扩散通量diffusionflux 单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散物质的基。 1.28扩散系数diffusioncoefficient 扩散通J与浓度梯度a℃/aX的比例系数，用D表示： J =- Dac/ax (1) 式中.C浓度.粒子个数/m; 171