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ICS_31. 080. 20 L 43 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 6352-- 1998 idt IEC 747-6-1:1989 QC 750110 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定 反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 Semiconductor devices Discrete devices Part6:Thyristors Section One--Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient 0r case-rated, up to 100A 1998-11-17发布 1999-06-01实施 国家质量技术监督局发布 GB/T 63521998 前言 本规范等同采用IEC747-6-1：1989《半导体器件分立器件100A以下环境或管壳额定的反向阻 断三极闸流晶体管空白详细规范》。本规范是GB/T6352一1986的修订版。 本规范与GB/T6352-1986的主要差别是：在第4章中增加了电流与温度的降额曲线；调整了引 用总规范及分规范的标准号。 除非另有规定，本规范第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和 集成电路总规范》（IEC747-10:1984)的条号，测试方法引自GB/T15291--1994《半导体分立器件和集 成电路第6部分：闸流晶体管》（IEC747-6：1983)；试验方法引自GB/T4937一1995《半导体器件机械 和气候试验方法》（IEC749：1984）。 本规范由中华人民共和国电子工业部提出。 本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。 本规范主要起草人：于志贤、杨志丹、顾康麟。

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GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分 闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.p 第 1 页 GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分 闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.p 第 2 页 GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分 闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.p 第 3 页
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