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书 书 书/G21 /G22 /G23 /G21 /G21 /G21 /G22 /G23 /G22 /G22 /G22 /G23 /G24 /G24 /G25 /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A /G25 /G26 /G21 /G27 /G23 /G24 /G24 /G21 /G25 /G22 /G24 /G22 /G24 /G24 /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G28 /G29 /G2A /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G33 /G27 /G28 /G29 /G2A /G2B /G28 /G2A /G2C /G2D /G2E /G2F /G2D /G30 /G30 /G28 /G29 /G31 /G29 /G2A /G31 /G32 /G31 /G2A /G33 /G2D /G2F /G29 /G28 /G2B /G31 /G34 /G31 /G35 /G29 /G36 /G37 /G38 /G2A /G31 /G35 /G39 /G2B /G2D /G35 /G2D /G3A /G30 /G33 /G29 /G2A /G38 /G37 /G37 /G31 /G35 /G28 /G29 /G31 /G37 /G31 /G3A /G2D /G35 /G3A /G38 /G30 /G3B /G31 /G2E /G28 /G3B /G33 /G3A /G2D /G35 /G2A /G38 /G3A /G2A /G37 /G28 /G29 /G29 /G2B /G28 /G38 /G29 /G36 /G30 /G28 /G2B /G28 /G35 /G2A /G24 /G22 /G24 /G24 /G34 /G25 /G24 /G34 /G26 /G22 /G34 /G35 /G24 /G22 /G24 /G26 /G34 /G22 /G23 /G34 /G22 /G25 /G36 /G37 /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G34 /G35书 书 书前 /G21 /G21 言 /G21 /G21 本文件按照 /G21 /G22 /G21 /G23 /G24 /G25 /G24 /G22 /G26 /G27 /G26 /G27 /G23 标准化工作导则 /G21 第 /G24 部分 /G24 标准化文件的结构和起草规则 /G25 的规定 起草 /G26 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 /G26 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 /G26 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 /G27 /G28 /G29 /G2A /G21 /G23 /G2A /G26 /G27 /G2B /G28 与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会 /G27 /G28 /G29 /G2A /G21 /G23 /G2A /G26 /G27 /G2B /G21 /G28 /G2A /G26 /G28 共同提出并归口 /G26 本文件起草单位 /G24 北京天科合达半导体股份有限公司 /G29 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 /G29 安 徽长飞先进半导体有限公司 /G29 有色金属技术经济研究院有限责任公司 /G29 中国电子科技集团公司第四十六 研究所 /G26 本文件主要起草人 /G24 彭同华 /G29 佘宗静 /G29 王大军 /G29 张贺 /G29 李素青 /G29 王波 /G29 杨建 /G29 袁松 /G29 刘立娜 /G26 /G21 /G21 /G22 /G21 /G23 /G21 /G22 /G22 /G23 /G24 /G22 /G22 /G25 /G22 /G22 半绝缘碳化硅单晶的电阻率 非接触测试方法 /G24 /G21 范围 本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 /G26 本文件适用于测量电阻率范围为 /G24 /G2C /G24 /G27 /G2D /G22 /G2A /G2E /G2F /G23 /G24 /G2C /G24 /G27 /G24 /G26 /G22 /G2A /G2E /G2F 的半绝缘碳化硅单晶片 /G26 /G22 /G21 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 /G26 其中 /G2B 注日期的引用文 件 /G2B 仅该日期对应的版本适用于本文件 /G2C 不注日期的引用文件 /G2B 其最新版本 /G27 包括所有的修改单 /G28 适用于 本文件 /G26 /G21 /G22 /G21 /G23 /G24 /G30 /G26 /G31 /G30 /G21 半导体材料术语 /G21 /G22 /G21 /G23 /G2B /G27 /G31 /G2D /G31 /G21 碳化硅单晶抛光片 /G26 /G21 术语和定义 /G21 /G22 /G21 /G23 /G24 /G30 /G26 /G31 /G30 界定的术语和定义适用于本文件 /G26 /G21 /G21 原理 非接触式电阻率测试采用电容充放电原理 /G26 首先对样品进行瞬时充电 /G2B 再利用仪器实时监测放电 过程中的电量 /G2B 从而得到其变化的弛豫曲线 /G2B 之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间 /G27 /G21 /G28 /G2B 最后通过 弛豫时间 /G27 /G21 /G28 计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率 /G26 /G27 /G21 试验条件 /G27 /G25 /G24 /G21 测试过程中用的测试机台应无振动 /G29 无电磁干扰且良好接地 /G26 /G27 /G25 /G22 /G21 温度 /G24 /G27 /G26 /G2B /G32 /G2B /G28 /G33 /G2C 相对湿度 /G27 /G34 /G35 /G28 /G24 /G31 /G27 /G36 /G32 /G26 /G27 /G36 /G26 /G28 /G21 干扰因素 /G28 /G25 /G24 /G21 不同的光强 /G2B 对电阻率的测试结果有影响 /G2B 在测试过程中应关闭设备的遮光罩 /G26 /G28 /G25 /G22 /G21 静电 /G29 振动测试环境对电阻率的测试结果有影响 /G2B 测试过程中应采取严格的屏蔽措施 /G26 /G28 /G25 /G26 /G21 样品表面 /G29 吸附载物台及测试探头上的颗粒沾污会影响半绝缘碳化硅单晶片的电阻率 /G2B 测试前应 确认样品表面 /G29 吸附载物台及测试探头无肉眼可见的大颗粒沾污 /G26 /G28 /G25 /G21 /G21 样品厚度的变化会对电阻率的测试结果有影响 /G2B 测试前应确保样品厚度均匀 /G26 /G24 /G21 /G22 /G21 /G23 /G21 /G22 /G22 /G23 /G24 /G22 /G22 /G25 /G22 /G22 /G23 /G21 仪器设备 /G23 /G25 /G24 /G21 探头 /G24 电容式探头装置基本结构如图 /G24 所示 /G2B 其中处于探头中心的是电荷放大器电极 /G2B 用于实时监 测电量变化 /G2B 其直径为 /G24 /G2F /G2F /G26 标引序号说明 /G24 /G24 /G22 /G22 /G22 电极 /G2C /G26 /G22 /G22 /G22 金属环 /G2C /G2B /G22 /G22 /G22 吸附载物台 /G2C /G30 /G22 /G22 /G22 碳化硅单晶片 /G2C /G2D /G22 /G22 /G22 氮气 /G27 空气 /G28 层 /G2C /G31 /G22 /G22 /G22 测试区域 /G26 图 /G24 /G21 电容式探头装置基本结构示意图 /G23 /G25 /G22 /G21 步进电机 /G26 /G23 /G25 /G26 /G21 数字示波器 /G26 /G29 /G21 样品 /G29 /G25 /G24 /G21 半绝缘碳化硅单晶片的样品直径为 /G2D /G27 /G25 /G37 /G2F /G2F /G29 /G38 /G31 /G25 /G26 /G2F /G2F /G29 /G24 /G27 /G27 /G25 /G27 /G2F /G2F /G29 /G24 /G2D /G27 /G25 /G27 /G2F /G2F /G29 /G26 /G27 /G27 /G25 /G27 /G2F /G2F /G2B 样品厚 度为 /G26 /G27 /G27 /G24 /G2F /G23 /G2D /G27 /G27 /G27 /G24 /G2F /G26 /G29 /G25 /G22 /G21 样品表面应无大面积缺陷 /G2B 并确保表面洁净 /G2B 表面粗糙度 /G27 /G21 /G22 /G28 应小于 /G24 /G27 /G24 /G2F /G26 /G29 /G25 /G26 /G21 样品局部厚度偏差应不大于 /G24 /G27 /G24 /G2F /G27 测试区域 /G24 /G24 /G27 /G2F /G2F /G2C /G24 /G27 /G2F /G2F /G28 /G
GB-T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
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