书 书 书/G21 /G22 /G23 /G21 /G21 /G21 /G22 /G23 /G22 /G22 /G22 /G23 /G24 /G24 /G21 /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A /G25 /G26 /G21 /G27 /G23 /G25 /G25 /G21 /G23 /G22 /G25 /G22 /G25 /G25 /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G28 /G29 /G2A /G21 /G2B /G22 /G2C /G23 /G2D /G28 /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G33 /G21 /G34 /G35 /G36 /G37 /G38 /G39 /G3A /G28 /G29 /G2A /G29 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G2A /G2D /G30 /G2E /G30 /G31 /G2A /G32 /G29 /G33 /G30 /G2E /G2A /G29 /G2E /G2A /G2F /G2E /G34 /G34 /G2D /G35 /G2A /G2B /G2D /G36 /G37 /G2A /G2D /G30 /G2E /G30 /G31 /G2A /G2B /G2F /G33 /G29 /G29 /G38 /G29 /G2C /G29 /G2E /G2A /G35 /G21 /G2C /G2F /G39 /G2E /G29 /G35 /G2D /G37 /G2C /G24 /G39 /G2F /G38 /G38 /G2D /G37 /G2C /G23 /G2D /G2E /G2F /G38 /G37 /G2C /G2D /G2E /G37 /G2C /G2E /G2D /G2A /G2B /G2D /G34 /G29 /G2C /G2F /G2A /G29 /G2B /G2D /G2F /G38 /G35 /G22 /G23 /G29 /G33 /G30 /G2E /G34 /G2F /G2B /G3A /G2D /G30 /G2E /G2C /G2F /G35 /G35 /G35 /G3B /G29 /G33 /G2A /G2B /G30 /G2C /G29 /G2A /G2B /G3A /G25 /G22 /G25 /G25 /G3C /G24 /G25 /G3C /G26 /G22 /G3B /G30 /G25 /G22 /G25 /G26 /G3C /G22 /G23 /G3C /G22 /G24 /G3C /G3D /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G3B /G30书 书 书前 /G21 /G21 言 /G21 /G21 本文件按照 /G21 /G22 /G21 /G23 /G24 /G25 /G24 /G22 /G26 /G27 /G26 /G27 /G23 标准化工作导则 /G21 第 /G24 部分 /G24 标准化文件的结构和起草规则 /G25 的规定 起草 /G26 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 /G26 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 /G26 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 /G27 /G28 /G29 /G2A /G21 /G23 /G2A /G26 /G27 /G2B /G28 与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会 /G27 /G28 /G29 /G2A /G21 /G23 /G2A /G26 /G27 /G2B /G21 /G28 /G2A /G26 /G28 共同提出并归口 /G26 本文件起草单位 /G24 北京科技大学 /G29 中国科学院半导体研究所 /G29 有色金属技术经济研究院有限责任公 司 /G29 中国科学院青海盐湖研究所 /G29 青海圣诺光电科技有限公司 /G26 本文件主要起草人 /G24 齐俊杰 /G29 魏学成 /G29 闫丹 /G29 李素青 /G29 卫喆 /G29 胡超胜 /G29 李志超 /G29 许磊 /G29 王军喜 /G29 李晋闽 /G29 魏明 /G29 刘江华 /G29 张成荣 /G26 /G21 /G21 /G22 /G21 /G23 /G21 /G22 /G22 /G23 /G21 /G22 /G22 /G24 /G22 /G22 氮化铝材料中痕量元素 /G27 镁 /G29 镓 /G28 含量及 分布的测定 /G21 二次离子质谱法 /G25 /G21 范围 本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法 /G26 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定 /G2A 测定范围为镁 /G29 镓的含量均不小于 /G24 /G2C /G24 /G27 /G24 /G2D /G2E /G2F /G30 /G2B /G2A 元素含量 /G27 原子个数百分比 /G28 不大于 /G24 /G31 /G26 注 /G24 氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计 /G26 /G22 /G21 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 /G26 其中 /G2A 注日期的引用文 件 /G2A 仅该日期对应的版本适用于本文件 /G2B 不注日期的引用文件 /G2A 其最新版本 /G27 包括所有的修改单 /G28 适用于 本文件 /G26 /G21 /G22 /G21 /G23 /G24 /G32 /G26 /G2D /G32 /G21 半导体材料术语 /G21 /G22 /G21 /G23 /G26 /G26 /G32 /G2D /G24 /G21 表面化学分析 /G21 词汇 /G21 /G22 /G21 /G23 /G26 /G33 /G24 /G34 /G2D /G21 表面化学分析 /G21 二次离子质谱 /G21 由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子 /G21 /G22 /G21 /G23 /G2B /G26 /G26 /G2D /G35 /G21 分析仪器性能测定术语 /G26 /G21 术语和定义 /G21 /G22 /G21 /G23 /G24 /G32 /G26 /G2D /G32 /G29 /G21 /G22 /G21 /G23 /G26 /G26 /G32 /G2D /G24 /G29 /G21 /G22 /G21 /G23 /G26 /G33 /G24 /G34 /G2D /G29 /G21 /G22 /G21 /G23 /G2B /G26 /G26 /G2D /G35 界定的术语和定义适用于本文件 /G26 /G21 /G21 方法原理 在高真空 /G27 真空度优于 /G24 /G27 /G30 /G35 /G36 /G37 /G28 条件下 /G2A 氧离子源产生的一次离子 /G2A 经过加速 /G29 纯化 /G29 聚焦后 /G2A 轰击氮 化铝样品表面 /G2A 溅射出多种粒子 /G2A 将其中的二次离子引出 /G2A 通过质谱仪将不同质荷比的离子分开 /G2A 记录样 品中待测元素 /G26 /G32 /G38 /G39 /G29 /G2D /G3A /G21 /G37 和基质元素 /G26 /G35 /G29 /G3B 的离子计数率之比 /G26 利用相对灵敏度因子定量分析并计算出 氮化铝单晶中待测元素的含量 /G26 /G27 /G21 干扰因素 /G27 /G25 /G25 /G21 样品表面吸附的镁和镓可能影响其含量的测试结果 /G2A 整个操作过程中应避免样品与外界过多的接 触 /G2A 在放入腔体前用干燥氮气吹净 /G26 /G27 /G25 /G22 /G21 二次离子质谱仪存在记忆效应 /G2A 若测试过镁和镓含量较高的样品 /G2A 仪器样品腔内可能会残留镁和 镓 /G2A 影响镁和镓含量的测试结果 /G26 /G27 /G25 /G26 /G21 仪器型号不同或者同一仪器的状态 /G27 例如一次离子束的束流密度 /G29 聚焦状态 /G29 电子倍增器效率 /G29 视 场光阑以及对比光阑大小 /G29 分析腔真空度等 /G28 不同 /G2A 会影响本方法的检出限 /G26 /G24 /G21 /G22 /G21 /G23 /G21 /G22 /G22 /G23 /G21 /G22 /G22 /G24 /G22 /G22 /G27 /G25 /G21 /G21 样品架窗口范围内的样品分析面应平整 /G2A 以保证每个样品移动到分析位置时 /G2A 其表面与离子收集 光学系统的倾斜度不变 /G2A 否则会降低测试的准确度 /G26 /G27 /G25 /G27 /G21 测试的准确度随着样品的表面粗糙度增大而显著降低 /G2A 对于不平整样品 /G2A 应通过对样品表面化学 机械抛光或者化学腐蚀抛光降低表面粗糙度 /G26 /G27 /G25 /G28 /G21 标准样品中镁和镓的含量偏差会导致测试结果偏差 /G26 /G27 /G25 /G23 /G21 标准样品中镁和镓的含量不均匀性会影响测试结果的准确性 /G26 /G28 /G21 试验条件 温度范围为 /G24 /G3A /G3C /G22 /G26 /G2B /G3C /G2A 相对