ICS29.045 CCSH82 中华人民共和国国家标准 GB/T25074—2025 代替GB/T25074—2017 太阳能级硅多晶 Solar-gradepolycrystallinesilicon 2025-06-30发布 2026-01-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T25074—2017《太阳能级多晶硅》,与GB/T25074—2017相比,除结构调整和编 辑性改动外,主要技术变化如下: a) 更改了适用范围(见第1章,2017年版的第1章); b) 更改了施主、受主、碳、基体金属、表面金属的技术指标,删除了氧浓度、少子寿命的技术要求 (见5.1,2017年版的5.1); c) 删除了硅多晶混装比例的要求(见2017年版的5.2); d) 增加了按GB/T35306、GB/T37049规定的测试方法,删除了按GB/T4060规定的制样方法 (见第6章,2017年版的第6章); e) 更改了组批的相关要求(见7.2,2017年版的7.2); f) 更改了检验项目(见7.3,2017年版的7.3); g) 更改“取值”为“取样”(见7.4,2017年版的7.4); h) 更改了检验结果的判定(见7.5,2017年版的7.5); i) 更改“质量证明书”为“随行文件”(见8.5,2017年版的8.5)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:洛阳中硅高科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、四川永祥股 份有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、新疆东方希望新能源有限公司、青海南玻新能源科 技有限公司、青海丽豪清能股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、TCL中环新能源科技股份有限 公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、浙大宁波理工学院、内蒙古兴洋科技股份有限公司。 本文件主要起草人:万烨、贺东江、严大洲、宁晓晓、张园园、李素青、郭树虎、徐顺波、杨晓东、宗冰、 李豪杰、秦榕、张科、梁波、冉祎、邓浩、张雪囡、王彬、胡动力、朱玉龙、陶刚义。 本文件于2010年首次发布,2017年第一次修订,本次为第二次修订。 ⅠGB/T25074—2025 太阳能级硅多晶 1 范围 本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮 存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶(以下简称硅多晶)。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 GB/T4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 GB/T24581 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T24582 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 GB/T29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T29849 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T31854 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T35306 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T37049 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 牌号及分类 4.1 牌号 硅多晶牌号按GB/T14844的规定表示。 4.2 分类 硅多晶根据外形分为块状和棒状,根据导电类型分为n型和p型,按技术指标的差别分为4个 1GB/T25074—2025 等级。 5 技术要求 5.1 技术指标 硅多晶的等级及对应技术指标应符合表1的规定,硅多晶的导电类型、电阻率、少数载流子寿命和 氧含量由供需双方协商确定。 表1 硅多晶技术指标 项目技术指标 特级品 1级品 2级品 3级品 施主杂质含量(P、As、Sb总含量,以原子数计) cm-3≤1.5×1013≤3.0×1013≤4.5×1013≤10.0×1013 受主杂质含量(B、Al总含量,以原子数计) cm-3≤5.0×1012≤1.0×1013≤2.0×1013≤4.0×1013 碳含量(以原子数计) cm-3≤1.5×1016≤2.0×1016≤2.5×1016≤3.0×1016 基体金属杂质含量(Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na总含量) (ng/g)(ppbw)≤3 ≤8 ≤15 ≤20 表面金属杂质含量(Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na、Al、K、 Ti、Mo、W、Co总含量) (ng/g)(ppbw)≤5 ≤10 ≤20 ≤30 5.2 尺寸 5.2.1 块状硅多晶具有无规则的形状,尺寸随机分布,其线性尺寸应不小于3mm、不大于200mm。若 需方有其他尺寸要求,可由供需双方协商确定。 5.2.2 棒状硅多晶的直径、长度可由供需双方协商确定,并在合同中注明。 5.3 表面质量 5.3.1 硅多晶免洗或经过清洗后应达到直接使用的要求,不同类型硅多晶表面质量的要求一般如下。 a) 致密料:表面颗粒凹陷深度小于5mm,断面结构致密、外观无异常颜色、无氧化夹层。 b) 菜花料:表面颗粒凹陷深度[5,20)mm,外观无异常颜色,无氧化夹层。 c) 珊瑚料:断面结构疏松、凹陷深度不小于20mm,外观无异常颜色,无氧化夹层。 5.3.2 其他类型硅多晶的表面质量要求,由供需双方协商确定。 6 试验方法 6.1 施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量检验前应按照 GB/T4059或GB/T29057规定的方法制成单晶试样。 6.2 施主杂质含量和受主杂质含量的检验按GB/T24574或GB/T24581的规定进行。仲裁检验按 2GB/T25074—2025 GB/T24581的规定进行。 6.3 碳含量的检验按GB/T1558或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的规定进行。 6.4 基体金属杂质含量的检验按GB/T31854或GB/T37049的规定进行。仲裁检验按GB/T37049 的规定进行。 6.5 表面金属杂质含量的检验按GB/T24582或GB/T29849的规定进行。仲裁检验按GB/T24582 的规定进行。 6.6 导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.7 电阻率的检验按GB/T1551的规定进行。 6.8 少数载流子寿命的检验按GB/T1553的规定进行。 6.9 氧含量的检验按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的规定进行。 6.10 块状硅多晶的尺寸分布范围用过筛检验,或用供需双方协商的方法检验。棒状硅多晶的尺寸用 相应精度的量具测量。 6.11 表面质量采用目视法检验。 7 检验规则 7.1 检查和验收 7.1.1 产品应由供方质量监督部门或第三方进行检验,保证产品质量符合本文件及订货单的规定,并 填写产品质量证明书。 7.1.2 需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。若检验结果与本文件或订货单的规定不符 时,应在收到产品之日起3个月内以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。 7.2 组批 每批应由同一类别、同一等级、相同工艺条件生产的硅多晶组成。 7.3 检验项目 7.3.1 每批产品应对施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、尺寸和表面质量进行检验。 7.3.2 基体金属杂质含量、表面金属杂质含量可进行抽样检验,抽检频次由供需双方协商确定。 7.3.3 导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量由供需双方协商确定是否检验并在订货单中注明。 7.4 取样 7.4.1 每批次硅多晶随机取样,取样数量由供需双方协商确定。 7.4.2 施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量的取样按 GB/T4059或GB/T29057的规定进行。 7.5 检验结果的判定 7.5.1 施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验结果中有 任意一项不合格时,则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验,重复试验结果仍不合格,判该批产品 不合格。 7.5.2 导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、尺寸、表面质量检验结果的判定由供需双方协商 确定。 3GB/T25074—2025 8 标志、包装、运输、贮存及随行文件 8.1 标志 包装箱外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字