ICS31.030 CCSL90 中华人民共和国国家标准 GB/T44928—2024 微电子学微光刻技术术语 Termsofmicrolithographytechnologyformicroelectronics 2024-12-31发布 2024-12-31实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 3.1 微电子学光刻技术 1 ………………………………………………………………………………… 3.2 先进光刻技术 11 ……………………………………………………………………………………… 3.3 微光刻图形化和图形数据处理技术 47 ……………………………………………………………… 3.4 微光刻感光材料、铬板与基板材料 55 ……………………………………………………………… 3.5 光掩模技术 60 ………………………………………………………………………………………… 3.6 光刻工艺(曝光、蚀刻与微纳米加工)技术 63 ……………………………………………………… 3.7 电子束掩模制造与直写技术 84 ……………………………………………………………………… 3.8 光刻及掩模质量参数测量和评定 89 ………………………………………………………………… 3.9 掩模制造设备和微光刻设备 100 …………………………………………………………………… 索引 132 ………………………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T44928—2024 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本文件起草单位:中国科学院微电子研究所。 本文件主要起草人:陈宝钦、王香、李和委、王力玉、李新涛、冯伯儒、薛丽君、郝美玲、薛彩荣。 ⅢGB/T44928—2024 微电子学微光刻技术术语 1 范围 本文件界定了微电子学微光刻技术有关的微电子光刻技术,先进光刻技术,微光刻图形化和图形数 据处理技术,微光刻感光材料、铬板与基板材料,光掩模技术,光刻工艺(曝光、刻蚀与微纳米加工)技 术,电子束掩模制造与直写技术,光刻及掩模质量参数测量和评定,掩模制造设备和微光刻设备等术语 和定义。 本文件适用于微电子学微光刻技术领域的教学、科研、生产、应用、贸易和技术交流。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义 3.1 微电子学光刻技术 3.1.1 微电子学 microelectronics 研究固体功能材料(主要是半导体材料)及基于这些功能材料的微型电子元器件研制及生产技术的 学科,包括其物理特性、工作原理、电路集成和系统集成的设计理论及生产工艺制造技术。 注:研究内容主要包括,半导体科学理论基础(semiconductorsciencetheories)、微电子材料科学(microelectron- icsmaterialsscience)、集成电路设计(integratedcircuitdesign)、微光刻与微/纳米加工技术(microlithography andmicro-nanofabricationtechnologies)、集成电路芯片加工工艺技术(integratedcircuitchipprocessingtech- nology)、测试技术(measuringandtestingtechnique)、组装与封装技术(assemblyandpackagingtechnique)、微电 子装备的研发(microelectronicsequipmentresearchanddevelopment),以及微机械电子学(micromechanical electronics)、微纳机电系统(micro-nanoelectromechanicalsystems,MEMS)、真空微电子学(vacuummicroelec- tronics)、超导微电子学(superconductingmicroelectronics)、纳米电子学(nanoelectronics)、有机电子学(organic electronics)、生物电子学(biomedicalelectronics,bioelectronics)、分子电子学(molecularelectronics,molelectron- ics)、量子电子学(quantumelectronics)等交叉学科。 3.1.2 半导体科学与技术 semiconductorscienceandtechnology 半导体材料、半导体物理、半导体器件、微电子学的半导体集成电路设计与制造工艺技术及产业化 技术融为一体的一门综合性科学。 注:相关的热点研究领域包括:半导体硅材料(semiconductorsilicon)、宽禁带半导体光电子器件(optoelectronic deviceofwidebandgapsemiconductor)、宽禁带半导体电子器件(electronicdeviceofwidebandgapsemiconduc- tor)、红外半导体材料和器件(infraredsemiconductormaterialanddevice)、低维半导体材料和器件(lowdimen- sionalsemiconductormaterialanddevice)、射频系统与射频集成电路设计(designofRFsystemandRFIC)、功 率半导体器件与功率集成电路(powersemiconductordeviceandpowerIC)、太阳能电池(solarcell)、微光刻与微 纳米加工技术(micro-lithographyandmicro-andnano-fabricationtechnology)、微电子与光电子集成(integration ofmicroelectronicsandoptoelectronics)、半导体检测与分析(inspectionandanalysisofsemiconductor)、高速光 1GB/T44928—2024 电子器件测试与封装(measurementandpackageofhigh-speedoptoelectronicdevice)、新型硅基半导体器件 (noveldeviceofsemiconductorsilicon)、薄膜电子学(thinfilmelectronics)、有机电子学(organicelectronics)、纳 电子学(nanoelectronics)、量子相干和调控(quantumcoherentandcontrol)、半导体自旋电子学(semiconductor spintronics)、微纳传感、微机电器件与系统(microandnanosensingandMEMS)、大功率半导体激光器(high powersemiconductorlaser)等。 3.1.2.1 肖特基接触 Schottkycontact 金属和半导体材料相接触的时候,在界面处半导体的能带弯曲,形成肖特基势垒,由于势垒的存在 导致有大的界面电阻。 注:肖特基接触也称为整流接触。 3.1.2.2 PN结 P-Njunction 在一块本征半导体某界面的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体,其二 者相连的接触面。 3.1.2.3 P型半导体 P-typesemiconductor 空穴浓度远大于自由电子浓度的掺杂半导体。 注:P型半导体也称为空穴型半导体。 3.1.2.4 N型半导体 N-typesemiconductor 自由电子浓度远大于空穴浓度的掺杂半导体。 3.1.2.5 空穴 hole 在固体物理学中指共价键上流失一个电子,最后在共价键上留下空位的现象,即共价键中的一些价 电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位。 注:空穴为能带论中价带上由于价电子激发到导带后留下一些空着的能级。 3.1.2.6 载流子 carriers 晶体中荷载电流(或传导电流)的粒子总称。 注:在金属中电子为载流子;在半导体中载流子有电子和空穴两种,如果半导体导电的过程中,电子起主要作用,那 么空穴相对于电子就是少数载流子,反之,电子相对于空穴就是少数载流子。 3.1.2.7 能带理论 energybandtheory 用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论,是研究固体中电子运动规律的一种近似理论。 注:该理论研究固体(包括金属、绝缘体和半导体的晶体)中电子的状态及其运动规律,解释了导体与绝缘体、半导 体之间能带区别及晶体中电子的平均自由程等问题。 3.1.2.8 能级 energylevel 由玻尔的理论发展而来的,现代量子物理学认为原子核外电子的可能状态是不连续的,各状态对应 的能量值。 3.1.2.9 能带