ICS81.060.30 CCSQ32 中华人民共和国国家标准 GB/T45767—2025 氮化硅陶瓷基片 Siliconnitrideceramicsubstrates 2025-06-30发布 2026-01-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国建筑材料联合会提出。 本文件由全国工业陶瓷标准化技术委员会(SAC/TC194)归口。 本文件起草单位:中材高新氮化物陶瓷有限公司、衡阳凯新特种材料科技有限公司、浙江多面体新 材料有限公司、浙江立泰复合材料股份有限公司、吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司、山东工业陶 瓷研究设计院有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司、株洲瑞德尔智能装备有限公司、河南诺兰特新材 科技有限公司、山东国瓷功能材料股份有限公司、河北高富氮化硅材料有限公司、罗杰斯科技(苏州)有 限公司、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国国检测试控股集团淄博有限公司、株洲艾森达新材料科技 有限公司、泰晟新材料科技有限公司、江苏富乐华功率半导体研究院有限公司、基迈克材料科技(苏州) 有限公司、福建臻璟新材料科技有限公司、安阳亨利高科实业有限公司、南通三责精密陶瓷有限公司、安 徽蓝讯通信科技有限公司、江西氮化硅新材料有限公司、福建华清电子材料科技有限公司、娄底市安地 亚斯电子陶瓷有限公司、无锡海古德新技术有限公司、济南大学、湖南维尚科技有限公司、湖南省新化县 鑫星电子陶瓷有限责任公司、浙江正天新材料科技有限公司、山东明辉特种陶瓷有限公司。 本文件主要起草人:孙峰、尚超峰、张辉、王再义、董廷霞、张业雷、董伟强、陈常祝、李勇全、栾婷、 张景贤、张国军、王玉金、李应新、蒋丹宇、王新刚、李凯、吴萍、张云鹤、孙伟、田卓、黄世东、高礼文、 李博闻、戴玮明、葛荘、刘卫平、曲鹏、夏静豪、李秋菊、闫永杰、朱伟、林文松、李光、黄文思、康丁华、 莫雪魁、陈平松、严回、曾小锋、袁振伟、张恒举、黄荣厦、张雪莲、曹建辉、蒋伟鑫、刘深、赵德刚、林德陇、 王美玲。 ⅠGB/T45767—2025 氮化硅陶瓷基片 1 范围 本文件规定了氮化硅陶瓷基片的产品分类与标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输 和贮存。 本文件适用于功率半导体模块氮化硅陶瓷基片,其他功能用氮化硅陶瓷基片参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T191 包装储运图示标志 GB/T1408.1 绝缘材料 电气强度试验方法 第1部分:工频下试验 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第4部分:介电常数和介质损耗角正切 值的测试方法 GB/T5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法 GB/T6062 产品几何技术规范(GPS)表面结构 轮廓法接触(触针)式仪器的标称特性 GB/T9530 电子陶瓷名词术语 GB/T10700 精细陶瓷弹性模量试验方法 弯曲法 GB/T14619—2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T16534 精细陶瓷室温硬度试验方法 GB/T16535 精细陶瓷线热膨胀系数试验方法 顶杆法 GB/T16555 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 GB/T17991 精细陶瓷术语 GB/T22588 闪光法测量热扩散系数或导热系数 GB/T25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法 GB/T39975—2021 氮化铝陶瓷散热基片 GB/T41605 滚动轴承球用氮化硅材料 室温压痕断裂阻力试验方法 压痕法 GB/T45763 精细陶瓷 陶瓷薄板室温弯曲强度试验方法 三点弯曲或四点弯曲法 3 术语和定义 GB/T9530和GB/T17991界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 氮化硅陶瓷基片 siliconnitrideceramicsubtrate 能够在表面印制导体图形、膜元件或粘贴电子元器件的片状氮化硅陶瓷支撑物。 注:以下简称基片。 1GB/T45767—2025 3.2 翘曲度 warpage 由基片的3个角点确定一个平面,第四角点偏离该平面的距离。 注:见图1。 标引符号说明: ΔW———翘曲度。 图1 翘曲度示意图 4 分类与标识 按导热性能分为5类(见5.3)。用两组符号标识,中间用空格隔开,应使用如下表达方式: SN 基片材质代号□ 基片的导热性能分类代号 示例:导热系数为80W/(m·K)~90W/(m·K)的基片表示为:SN80。 5 技术要求 5.1 外观质量 基片外观质量应符合表1的规定。 表1 外观质量 项目 典型示例 每30cm2最大允许个数 裂纹 0 凸脊 高度小于0.025mm时:1 毛刺a 高度小于0.01mm时:1 划痕 深度小于0.015mm时:1 2GB/T45767—2025 表1 外观质量(续) 项目 典型示例 每30cm2最大允许个数 缺损 伸入印刷表面(W)深度小于0.5, 缺损深度不超过基片厚度一半时:1 凹坑a 直径小于0.18mm, 深度小于0.025mm时:1 气泡a 高度小于0.025mm时:1 斑点 0 污渍 — 0 a每15cm2面积上毛刺、凹坑、气泡三项缺陷不能同时存在。 5.2 尺寸偏差和形位公差 5.2.1 基片工作面的粗糙度不大于Ra0.7μm。 5.2.2 尺寸偏差和形位公差应符合表2的规定。 表2 尺寸偏差和形位公差 项目允许偏差a Ⅰ级 Ⅱ级 Ⅲ级 长度(L)±0.1% (但不小于±0.05mm)±0.3% (但不小于±0.10mm)±0.8% (但不小于±0.10mm) 宽度(W)±0.1% (但不小于±0.05mm)±0.3% (但不小于±0.10mm)±0.8% (但不小于±0.10mm) 厚度(h)±7% (但不小于±0.025mm)±9% (但不小于±0.05mm)±10% (但不小于±0.05mm) 翘曲率(长度方向) ≤0.2% >0.2%~0.3% >0.3%~0.4% a用户另有要求时,以双方确认的要求为准。 5.3 性能指标 基片的性能指标应符合表3的规定。 3GB/T45767—2025 表3 性能指标 项目 单位指标 SN60 SN80 SN100 SN120 Si3N4(质量分数) — ≥85% 体积密度 g/cm3≥3.10 导热系数(室温) W/(m·K)60~<8080~<100100~<120 ≥120 弯曲强度(三点) MPa ≥650 ≥700 ≥600 ≥550 韦布尔模数(弯曲强度) — >10 维氏硬度(HV) GPa ≥14 压痕断裂阻力(KI,IFR) MPa·m1/2≥6.0 线热膨胀系数(室温~400℃) 1/K 2.43×10-6~2.97×10-6 体积电阻率(室温) Ω·cm >1014 介电常数(室温、1MHz) — 6~10 介质损耗角正切值(室温、1MHz) — ≤5×10-3 耐电压(AC/5kV) — 10s无击穿,漏电流不大于10mA 击穿强度(AC) kV/mm >20 抗热震性(600℃,水冷) — 30次无裂纹 注:如供需双方商定的产品热性能类型不属于表3的4个分类范围,则标记为第5个类型“X”,用“SNX”表示。 6 试验方法 6.1 外观质量 按照GB/T14619—2013中6.5.8规定的方法进行检验。 6.2 尺寸偏差和形位公差 长度、宽度和厚度按照GB/T39975—2021中5.2.1、5.2.2规定的方法进行测量。翘曲度按附录A 给出的方法测量。 6.3 表面粗糙度 使用符合GB/T6062规定的准确度要求的接触式轮廓仪进行测量。测量正反面,每面在中心位置 水平、垂直方向各测量一次,结果取4次测量中的最大值。 6.4 Si3N4(质量分数) 按照GB/T16555规定的方法进行测试。 6.5 体积密度 每一测试样品体积应不小于0.4cm3,且质量不小于5g,按照GB/T25995规定的方法进行测试。 4GB/T45767—2025