ICS29.045 CCSH83 中华人民共和国国家标准 GB/T30856—2025 代替GB/T30856—2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 GaAssubstratesforLEDepitaxialchips 2025-08-01发布 2026-02-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T30856—2014《LED外延芯片用砷化镓衬底》,与GB/T30856—2014相比,除结 构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下: a) 更改了规格(见4.1.2,2014年版的4.3); b) 更改了电学性能的要求(见5.1,2014年版的4.4); c) 更改了参考面及切口的要求(见5.2,2014年版的4.4); d) 更改了表面晶向及晶向偏离的要求(见5.3,2014年版的4.5); e) 更改了位错密度的要求(见5.4,2014年版的4.6); f) 更改了几何尺寸的要求(见5.5,2014年版的4.9); g) 更改了表面质量的要求(见5.6,2014年版的4.7); h) 更改了电学性能的检验方法(见5.2,2014年版的4.8); i) 更改了切口的检验方法(见6.2.3,2014年版的5.5.2); j) 更改了检验规则(见第7章,2014年版的第6章); k) 更改了标志(见8.1,2014年版的7.1); l) 更改了包装(见8.2,2014年版的7.2); m) 删除了使用方块电阻测量仪测量衬底电阻率的方法和衬底室温载流子浓度与迁移率的测量方 法(见2014年版的附录A和附录B)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、广东先导微电子科 技有限公司、全磊光电股份有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公 司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司、易事达光电 (广东)股份有限公司、深圳市冠科科技有限公司、广东中阳光电科技有限公司。 本文件主要起草人:赵中阳、郑红军、冯佳峰、于会永、刘建庆、孙雪峰、张双翔、闫宝华、林作亮、 刘强、马金峰、赵有文、赵春锋、彭璐、徐宝洲、兰庆、陈皇。 本文件于2014年首次发布,本次为第一次修订。 ⅠGB/T30856—2025 LED外延芯片用砷化镓衬底 1 范围 本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、 检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T191 包装储运图示标志 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T8760 砷化镓单晶位错密度的测试方法 GB/T11093 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 GB/T13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T20228 砷化镓单晶 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 分类和牌号 4.1 分类 4.1.1 砷化镓衬底按导电类型分为n型和p型。 4.1.2 砷化镓衬底按直径分为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm五种规格。 1GB/T30856—2025 4.2 牌号 砷化镓衬底的牌号表示应符合GB/T14844的规定。 5 技术要求 5.1 电学性能 砷化镓衬底的电学性能应符合表1的规定。 表1 电学性能 项目要求 n型 p型 电阻率 Ω·cm1×10-2~1×10-31×10-1~1×10-3 迁移率 cm2/(V·s)≥1000 ≥40 载流子浓度 cm-31×1017~5×10181×1017~5×1019 截面电阻率不均匀性 <15% <15% 注:n型掺杂剂包括Si、Te、S、Se、Sn;p型掺杂剂包括Zn、Cd、Be、Mn、Fe、Co、Mg。 5.2 参考面及切口 5.2.1 砷化镓衬底参考面的取向和长度应符合表2的规定。 表2 参考面的取向和长度 参数 要求 参考面选择 V型槽 燕尾槽 主参考面取向[011]±0.5°属于1个砷面, 主参考面垂直于V型槽[011]±0.5°属于1个镓面, 主参考面垂直于燕尾槽 副参考面取向 从主参考面逆时针转90°±0.5° 从主参考面顺时针转90°±0.5° 直径 mm50.8 76.2 100.0 150.0 200.0 主参考面长度 mm16±1 22±1 32±1 48±1 —a 副参考面长度 mm8±1 11±1 18±1或0 28±1或0 —a a200.0mm砷化镓衬底主参考面长度和副参考面长度可参考150.0mm砷化镓衬底。 2GB/T30856—2025 5.2.2 150.0mm和200.0mm砷化镓衬底切口的取向、深度和开角应符合表3的规定。 表3 切口的取向、深度和开角 项目 要求 砷化镓衬底切口的取向、深度和开角取向深度 mm开角 (°) [010]±2° 1~1.25 89~95 注:直径不大于100.0mm的砷化镓衬底无切口要求。 5.3 表面取向及偏离 砷化镓衬底的表面取向及偏离应符合表4的规定,若需方有其他要求,由供需双方协商确定。 表4 表面取向及偏离 表面晶向 晶向偏离 主边 偏向 <100> 2°±0.5° [011] [011] <100> 6°±0.5° [011] [011] <100> 15°±0.5° [011] [011] 5.4 位错密度 砷化镓衬底的平均位错密度不大于5000个/cm2,如对位错密度有特殊要求,由供需双方协商确定 并在订货单中注明。 5.5 几何尺寸 砷化镓衬底几何尺寸应符合表5的规定。 表5 几何尺寸 项目直径 50.8mm 76.2mm 100.0mm 150.0mm 200.0mm 直径及允许偏差 mm50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.3 200±0.3 厚度及允许偏差 μm(275~650)±20(275~650)±20(300~650)±25(400~675)±25(500~750)±25 总厚度变化 μm≤12 ≤12 ≤15 ≤15 ≤20 平整度 μm≤6 ≤6 ≤8 ≤10 ≤15 翘曲度 μm≤12 ≤15 ≤60 ≤60 ≤60 3GB/T30856—2025 5.6 表面质量 砷化镓衬底的表面应无沾污、溶剂残留物及蜡残留物,还应符合表6的规定。 表6 表面质量 直径 mm近边缘区域径向尺寸 mm要求 近边缘区域 合格质量区 边缘轮廓 50.8 ≤0.2 76.2 ≤0.2 100.0 ≤0.5 150.0 ≤0.5 200.0 ≤0.8无崩边无划痕、桔皮、裂缝、 凹坑边缘应光滑,无明显的 凸起、凹坑或锐利点 6 试验方法 6.1 电学性能 6.1.1 电阻率 砷化镓衬底电阻率的检测按GB/T4326的规定进行。 6.1.2 迁移率 砷化镓衬底迁移率的检测按GB/T4326的规定进行。 6.1.3 载流子浓度 砷化镓衬底载流子浓度的检测按GB/T4326的规定进行。 6.1.4 截面电阻率不均匀性 砷化镓衬底截面电阻率不均匀性的检测按GB/T20228的规定进行。 6.2 参考面及切口 6.2.1 砷化镓衬底参考面取向的检测按GB/T13388的规定进行。 6.2.2 砷化镓衬底参考面长度的检测按GB/T13387的规定进行。 6.2.3 砷化镓衬底参考面切口取向、深度和开角的检测按GB/T11093的规定进行。 6.3 表面晶向及晶向偏离 砷化镓衬底表面晶向及晶向偏离的检测按GB/T1555的规定进行。 6.4 位错密度 砷化镓衬底位错密度的检测按GB/T8760的规定进行。 6.5 几何尺寸 6.5.1 砷化镓衬底直径及允许偏差的检测按GB/T14140的规定进行。 4GB/T30856—2025