论文标题
在（100）$β$ -GA2O3同二轴上通过金属交换催化的分子束的同型（MEXCAT-MBE）期间（100）$β$ -GA2O3同型（MEXCAT-MBE）期间（MEXCAT-MBE）（MEXCAT-MBE）期间，与截面相关的阶梯流和增长率提高（MEXCAT-MBE）
Offcut-related step-flow and growth rate enhancement during (100) $β$-Ga2O3 homoepitaxy by metal-exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE)
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论文摘要
在这项工作中，我们研究了$β$ -GA2O3同型层在（100）个定向底物上的增长，这是通过粘附的金属交换催化的分子束外延（Mexcat-MBE）的增长，这些分子束外延（Mexcat-MBE）在过去表现出非诱导的MBE的过度低生长速率。我们证明，正确调整MEXCAT生长参数以及选择适当的底物偏外的选择允许通过阶梯流增长机制以相对较高的增长率以$β$ -GA2O3同型同性恋（即，在1.5 nm/min/min of 45％的$ 45％in Incontiention in Incontient）中，以相对较高的增长速度以相对较高的增长率来沉积具有高结构质量的薄膜。 可行的。此外，通过使用调查的沿[00-1]方向的四个不同（100）底物（即0 $^\ circ $，2 $^\ circ $，4 $^\ circ $，6 $^\ circ $），我们通过（-201）步骤Edges as aus af成核的基础的实验证据（100），我们提供有关（-201）步骤的基本作用的实验证据（100）。
In this work we investigate the growth of $β$-Ga2O3 homoepitaxial layers on top of (100) oriented substrates via indium-assisted metal exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE) which have exhibited prohibitively low growth rates by non-catalyzed MBE in the past. We demonstrate that the proper tuning of the MEXCAT growth parameters and the choice of a proper substrate offcut allow for the deposition of thin films with high structural quality via step-flow growth mechanism at relatively high growth rates for $β$-Ga2O3 homoepitaxy (i.e., around 1.5 nm/min, $\approx$45% incorporation of the incoming Ga flux), making MBE growth on this orientation feasible. Moreover, through the employment of the investigated four different (100) substrate offcuts along the [00-1] direction (i.e., 0$^\circ$, 2$^\circ$, 4$^\circ$, 6$^\circ$) we give experimental evidence on the fundamental role of the (-201) step edges as nucleation sites for growth of (100)-oriented Ga2O3 films by MBE.
